ZXTN620MATA Альтернативные части: ZXTP718MATA ,ZXTN619MATA

ZXTN620MATADiodes Incorporated

В наличии: 2557

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.357143 ₽
13.32 ₽
10
12.601071 ₽
125.96 ₽
100
11.887816 ₽
1,188.74 ₽
500
11.214918 ₽
5,607.42 ₽
1000
10.580110 ₽
10,580.08 ₽

Цена за единицу: 13.357143 ₽

Итоговая цена: 13.32 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTN620MATA	иZXTP718MATA	иZXTN619MATA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	TRANS NPN 50V 4A 3-DFN
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UDFN	3-UDFN	3-UDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	80V	20V	50V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Digi-Reel®	Digi-Reel®	Digi-Reel®
Опубликовано	2002	2016	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	2.45W	3W	2.45W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	160MHz	180MHz	165MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	ZXTN620MA	ZXTP718	ZXTN619MA
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	2.45W	2.45W	2.45W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Мощность - Макс	3W	3W	3W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	160MHz	180MHz	165MHz
Полярность/Тип канала	NPN	PNP	NPN
Тип транзистора	NPN	PNP	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	80V	20V	50V
Максимальный ток сбора	3.8A	3.5A	4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 200mA 2V	150 @ 2A 2V	100 @ 2A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	25nA	25nA	25nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	325mV @ 300mA, 3.5A	300mV @ 350mA, 3.5A	320mV @ 200mA, 4A
Частота перехода	160MHz	180MHz	165MHz
Максимальное напряжение разрушения	80V	20V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	100V	25V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	-7.5V	7V
Прямоходящий ток коллектора	3.5A	-3.5A	4A
Высота	580μm	-	580μm
Длина	2.08mm	-	2.08mm
Ширина	2.075mm	-	2.075mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXTN619MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS NPN 50V 4A 3-DFN	Для сравнения
ZXTP720MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	Для сравнения
ZXTP722MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	TRANS PNP 70V 2.5A 3-DFN	Для сравнения
ZXTP718MATA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UDFN	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN	Для сравнения