Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXTN620MATA Альтернативные части: ZXTP718MATA
ZXTN620MATADiodes Incorporated
В наличии: 2557
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
13.357143 ₽
13.32 ₽
10
12.601071 ₽
125.96 ₽
100
11.887816 ₽
1,188.74 ₽
500
11.214918 ₽
5,607.42 ₽
1000
10.580110 ₽
10,580.08 ₽
Цена за единицу: 13.357143 ₽
Итоговая цена: 13.32 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-UDFN | 3-UDFN |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 80V | 20V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Digi-Reel® | Digi-Reel® |
Опубликовано | 2002 | 2016 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 2.45W | 3W |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 160MHz | 180MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | ZXTN620MA | ZXTP718 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 2.45W | 2.45W |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Мощность - Макс | 3W | 3W |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 160MHz | 180MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | PNP |
Тип транзистора | NPN | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 80V | 20V |
Максимальный ток сбора | 3.8A | 3.5A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 300 @ 200mA 2V | 150 @ 2A 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 25nA | 25nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 325mV @ 300mA, 3.5A | 300mV @ 350mA, 3.5A |
Частота перехода | 160MHz | 180MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 80V | 20V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | 25V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | -7.5V |
Прямоходящий ток коллектора | 3.5A | -3.5A |
Высота | 580μm | - |
Длина | 2.08mm | - |
Ширина | 2.075mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXTN619MATA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UDFN | TRANS NPN 50V 4A 3-DFN | Для сравнения |
| ZXTP720MATA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UDFN | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | Для сравнения |
| ZXTP722MATA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UDFN | TRANS PNP 70V 2.5A 3-DFN | Для сравнения |
| ZXTP718MATA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UDFN | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | Для сравнения |