ZXTD09N50DE6TA Альтернативные части: ZXT10N50DE6TA ,DMG204B10R

ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated

  • ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated
  • ZXT10N50DE6TADiodes Incorporated
  • DMG204B10RPanasonic Electronic Components

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    36.698901 ₽

    36.68 ₽

  • 10

    34.621607 ₽

    346.15 ₽

  • 100

    32.661896 ₽

    3,266.21 ₽

  • 500

    30.813104 ₽

    15,406.59 ₽

  • 1000

    29.068970 ₽

    29,068.96 ₽

Цена за единицу: 36.698901 ₽

Итоговая цена: 36.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
TRANS NPN 50V 3A SOT23-6
Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
14.996898mg
14.996898mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2006
2012
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
-
Максимальная потеря мощности
1.7W
1.1W
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
2A
3A
-
Частота
215MHz
165MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
NOT SPECIFIED
Основной номер части
ZXTD09N50D
ZXT10N50D
DMG204
Число контактов
6
6
-
Направленность
NPN
-
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Single
Dual
Распад мощности
1.7W
1.7W
-
Мощность - Макс
1.1W
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
215MHz
165MHz
150MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
400mV
Максимальный ток сбора
1A
3A
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
100 @ 2A 2V
200 @ 500mA 2V / 210 @ 2mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
100nA
100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
270mV @ 50mA, 1A
300mV @ 100mA, 3A
400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
215MHz
165MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
12V
Прямоходящий ток коллектора
1A
3A
-
Высота
1.3mm
1.3mm
1.1mm
Длина
3.1mm
3.1mm
2.9mm
Ширина
1.8mm
1.8mm
1.5mm
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
500mA 100mA
Минимальная частота работы в герцах
-
-
210
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Код соответствия REACH
-
-
unknown
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
20V 50V