ZXTD09N50DE6TA Альтернативные части: ZXT13N50DE6TA

ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
36.698901 ₽
36.68 ₽
10
34.621607 ₽
346.15 ₽
100
32.661896 ₽
3,266.21 ₽
500
30.813104 ₽
15,406.59 ₽
1000
29.068970 ₽
29,068.96 ₽

Цена за единицу: 36.698901 ₽

Итоговая цена: 36.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXTD09N50DE6TA	иZXT13N50DE6TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN	Trans GP BJT NPN 50V 4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6
Вес	14.996898mg	14.996898mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2006
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	1.7W	1.1W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	2A	4A
Частота	215MHz	115MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	ZXTD09N50D	ZXT13N50D
Число контактов	6	6
Направленность	NPN	-
Конфигурация элемента	Dual	Single
Распад мощности	1.7W	1.7W
Мощность - Макс	1.1W	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	215MHz	115MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	1A	4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 500mA 2V	300 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	10nA	100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	270mV @ 50mA, 1A	180mV @ 400mA, 4A
Частота перехода	215MHz	115MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	7.5V
Прямоходящий ток коллектора	1A	4A
Высота	1.3mm	1.3mm
Длина	3.1mm	3.1mm
Ширина	1.8mm	1.8mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Положение терминала	-	DUAL
Полярность/Тип канала	-	NPN

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXT13N50DE6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6	Trans GP BJT NPN 50V 4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
ZXT10N50DE6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6	TRANS NPN 50V 3A SOT23-6	Для сравнения
DMG204B10R	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm	Для сравнения
DMC204020R	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS DUAL NPN 50V 500MA MINI6	Для сравнения