ZXTD09N50DE6TA Альтернативные части: DMG204B10R ,DMC204020R

ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated

  • ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated
  • DMG204B10RPanasonic Electronic Components
  • DMC204020RPanasonic Electronic Components

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    36.698901 ₽

    36.68 ₽

  • 10

    34.621607 ₽

    346.15 ₽

  • 100

    32.661896 ₽

    3,266.21 ₽

  • 500

    30.813104 ₽

    15,406.59 ₽

  • 1000

    29.068970 ₽

    29,068.96 ₽

Цена за единицу: 36.698901 ₽

Итоговая цена: 36.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
TRANS DUAL NPN 50V 500MA MINI6
Срок поставки от производителя
15 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
14.996898mg
-
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2012
2010
Код JESD-609
e3
-
-
Безоловая кодировка
yes
-
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-
-
Максимальная потеря мощности
1.7W
300mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
2A
-
-
Частота
215MHz
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Основной номер части
ZXTD09N50D
DMG204
DMC20402
Число контактов
6
-
-
Направленность
NPN
NPN, PNP
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
1.7W
-
-
Мощность - Макс
1.1W
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
215MHz
150MHz
160MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
400mV
50V
Максимальный ток сбора
1A
100mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
200 @ 500mA 2V / 210 @ 2mA 10V
120 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
100μA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
270mV @ 50mA, 1A
400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
600mV @ 30mA, 300mA
Частота перехода
215MHz
150MHz
160MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
25V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
12V
5V
Прямоходящий ток коллектора
1A
-
500mA
Высота
1.3mm
1.1mm
1.1mm
Длина
3.1mm
2.9mm
2.9mm
Ширина
1.8mm
1.5mm
1.5mm
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA 100mA
-
Минимальная частота работы в герцах
-
210
120
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
20V 50V
-
Покрытие контактов
-
-
Tin
Максимальная частота
-
-
160MHz
REACH SVHC
-
-
Unknown