ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
36.698901 ₽
36.68 ₽
10
34.621607 ₽
346.15 ₽
100
32.661896 ₽
3,266.21 ₽
500
30.813104 ₽
15,406.59 ₽
1000
29.068970 ₽
29,068.96 ₽
Цена за единицу: 36.698901 ₽
Итоговая цена: 36.68 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | TRANS DUAL NPN 50V 500MA MINI6 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 14.996898mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2012 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - | - |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | 2A | - | - |
Частота | 215MHz | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | ZXTD09N50D | DMG204 | DMC20402 |
Число контактов | 6 | - | - |
Направленность | NPN | NPN, PNP | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 1.7W | - | - |
Мощность - Макс | 1.1W | - | - |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 215MHz | 150MHz | 160MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN, PNP | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 400mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 1A | 100mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 500mA 2V | 200 @ 500mA 2V / 210 @ 2mA 10V | 120 @ 150mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA | 100μA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 270mV @ 50mA, 1A | 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA | 600mV @ 30mA, 300mA |
Частота перехода | 215MHz | 150MHz | 160MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 25V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 12V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 1A | - | 500mA |
Высота | 1.3mm | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 3.1mm | 2.9mm | 2.9mm |
Ширина | 1.8mm | 1.5mm | 1.5mm |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 500mA 100mA | - |
Минимальная частота работы в герцах | - | 210 | 120 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 20V 50V | - |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Максимальная частота | - | - | 160MHz |
REACH SVHC | - | - | Unknown |