ZXTD09N50DE6TA Альтернативные части: DMC204020R ,ZXT13N50DE6TA

ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated

  • ZXTD09N50DE6TADiodes Incorporated
  • DMC204020RPanasonic Electronic Components
  • ZXT13N50DE6TADiodes Incorporated

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    36.698901 ₽

    36.68 ₽

  • 10

    34.621607 ₽

    346.15 ₽

  • 100

    32.661896 ₽

    3,266.21 ₽

  • 500

    30.813104 ₽

    15,406.59 ₽

  • 1000

    29.068970 ₽

    29,068.96 ₽

Цена за единицу: 36.698901 ₽

Итоговая цена: 36.68 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
TRANS DUAL NPN 50V 500MA MINI6
Trans GP BJT NPN 50V 4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
10 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
14.996898mg
-
14.996898mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2010
2006
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-
50V
Максимальная потеря мощности
1.7W
300mW
1.1W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
2A
-
4A
Частота
215MHz
-
115MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
40
Основной номер части
ZXTD09N50D
DMC20402
ZXT13N50D
Число контактов
6
-
6
Направленность
NPN
NPN
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Single
Распад мощности
1.7W
-
1.7W
Мощность - Макс
1.1W
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
215MHz
160MHz
115MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
1A
500mA
4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
120 @ 150mA 10V
300 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
100nA ICBO
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
270mV @ 50mA, 1A
600mV @ 30mA, 300mA
180mV @ 400mA, 4A
Частота перехода
215MHz
160MHz
115MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
60V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
7.5V
Прямоходящий ток коллектора
1A
500mA
4A
Высота
1.3mm
1.1mm
1.3mm
Длина
3.1mm
2.9mm
3.1mm
Ширина
1.8mm
1.5mm
1.8mm
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Минимальная частота работы в герцах
-
120
-
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Максимальная частота
-
160MHz
-
REACH SVHC
-
Unknown
-
Положение терминала
-
-
DUAL
Полярность/Тип канала
-
-
NPN