Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXTC2062E6TA Альтернативные части: RN1602(TE85L,F) ,ZXTC2063E6TA
ZXTC2062E6TADiodes Incorporated
В наличии: 8767
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
45.193681 ₽
45.19 ₽
10
42.635549 ₽
426.37 ₽
100
40.222212 ₽
4,022.25 ₽
500
37.945481 ₽
18,972.80 ₽
1000
35.797624 ₽
35,797.66 ₽
Цена за единицу: 45.193681 ₽
Итоговая цена: 45.19 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 11 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SC-74, SOT-457 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 7.994566mg | - | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 50V | 40V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 4A 3.5A | - | 3.5A 3A |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2010 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - | 6 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | 300mW | 1.7W |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Частота | 215MHz | - | 190MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Основной номер части | Z2062 | - | Z2063 |
Число контактов | 6 | - | 6 |
Направленность | NPN, PNP | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 1.7W | - | 1.7W |
Мощность - Макс | 1.1W | - | 1.1W |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 290MHz | - | 270MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 50V | 40V |
Максимальный ток сбора | 3.5A | 100mA | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 280 @ 1A 2V / 170 @ 1A 2V | 50 @ 10mA 5V | 300 @ 10mA 2V / 200 @ 1A 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 100nA ICBO | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A | 300mV @ 250μA, 5mA | 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A |
Частота перехода | 215MHz | - | 190MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 50V | 40V |
Частота - Переход | 215MHz 290MHz | 250MHz | 190MHz 270MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | - | 130V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 10V | 7V |
Высота | 1.3mm | - | 1.3mm |
Длина | 3.1mm | - | 3.1mm |
Ширина | 1.8mm | - | 1.8mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Минимальная частота работы в герцах | - | 50 | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
База (R1) | - | 10k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10k Ω | - |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 | Для сравнения |
| DMMT5401-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 | Для сравнения |
| ZXTC2061E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 | Для сравнения |
 | RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |