Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXTC2062E6TA Альтернативные части: ZXTC2061E6TA
ZXTC2062E6TADiodes Incorporated
В наличии: 8767
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
45.193681 ₽
45.19 ₽
10
42.635549 ₽
426.37 ₽
100
40.222212 ₽
4,022.25 ₽
500
37.945481 ₽
18,972.80 ₽
1000
35.797624 ₽
35,797.66 ₽
Цена за единицу: 45.193681 ₽
Итоговая цена: 45.19 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor | TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 12V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 4A 3.5A | 5A 3.5A |
Количество элементов | 2 | 2 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | 1.7W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 215MHz | 260MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | Z2062 | Z2061 |
Число контактов | 6 | 6 |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 1.7W | 1.7W |
Мощность - Макс | 1.1W | 1.1W |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 290MHz | 310MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 12V |
Максимальный ток сбора | 3.5A | 3.5A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 280 @ 1A 2V / 170 @ 1A 2V | 480 @ 1A 2V / 290 @ 1A 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 50nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A | 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A |
Частота перехода | 215MHz | 260MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 12V |
Частота - Переход | 215MHz 290MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | 20V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 7V |
Высота | 1.3mm | 1.3mm |
Длина | 3.1mm | 3.1mm |
Ширина | 1.8mm | 1.8mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 | Для сравнения |
| DMMT5401-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 | Для сравнения |
| ZXTC2061E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 | Для сравнения |
 | RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |