ZXT10N50DE6TA Альтернативные части: ZXT13N50DE6TA ,CPH6223-TL-E

ZXT10N50DE6TADiodes Incorporated

В наличии: 47

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
24.612500 ₽
24.59 ₽
10
23.219341 ₽
232.14 ₽
100
21.905041 ₽
2,190.52 ₽
500
20.665124 ₽
10,332.55 ₽
1000
19.495412 ₽
19,495.47 ₽

Цена за единицу: 24.612500 ₽

Итоговая цена: 24.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXT10N50DE6TA	иZXT13N50DE6TA	иCPH6223-TL-E
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 50V 3A SOT23-6	Trans GP BJT NPN 50V 4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 50V 3A CPH6
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Вес	14.996898mg	14.996898mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2006	2003
Код JESD-609	e3	e3	e6
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	-
Максимальная потеря мощности	1.1W	1.1W	1.3W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	-
Моментальный ток	3A	4A	-
Частота	165MHz	115MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	-
Основной номер части	ZXT10N50D	ZXT13N50D	-
Число контактов	6	6	6
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1.7W	1.7W	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	165MHz	115MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	3A	4A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 2A 2V	300 @ 1A 2V	200 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA	100nA	1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 3A	180mV @ 400mA, 4A	240mV @ 100mA, 2A
Частота перехода	165MHz	115MHz	380MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	100V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	7.5V	-6V
Прямоходящий ток коллектора	3A	4A	-
Высота	1.3mm	1.3mm	900μm
Длина	3.1mm	3.1mm	2.9mm
Ширина	1.8mm	1.8mm	1.6mm
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Код соответствия REACH	-	-	not_compliant
Максимальная частота	-	-	380MHz
Частота - Переход	-	-	380MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXT13N50DE6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6	Trans GP BJT NPN 50V 4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
CPH6223-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS NPN 50V 3A CPH6	Для сравнения
FMB3946	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
ZXTD09N50DE6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN	Для сравнения