ZXT10N50DE6TA Альтернативные части: ZXTD09N50DE6TA

ZXT10N50DE6TADiodes Incorporated

В наличии: 47

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
24.612500 ₽
24.59 ₽
10
23.219341 ₽
232.14 ₽
100
21.905041 ₽
2,190.52 ₽
500
20.665124 ₽
10,332.55 ₽
1000
19.495412 ₽
19,495.47 ₽

Цена за единицу: 24.612500 ₽

Итоговая цена: 24.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXT10N50DE6TA	иZXTD09N50DE6TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 50V 3A SOT23-6	Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6
Вес	14.996898mg	14.996898mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	1.1W	1.7W
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	3A	2A
Частота	165MHz	215MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	ZXT10N50D	ZXTD09N50D
Число контактов	6	6
Конфигурация элемента	Single	Dual
Распад мощности	1.7W	1.7W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	165MHz	215MHz
Полярность/Тип канала	NPN	-
Тип транзистора	NPN	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	3A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 2A 2V	200 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA	10nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 3A	270mV @ 50mA, 1A
Частота перехода	165MHz	215MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	3A	1A
Высота	1.3mm	1.3mm
Длина	3.1mm	3.1mm
Ширина	1.8mm	1.8mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Направленность	-	NPN
Мощность - Макс	-	1.1W

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXT13N50DE6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6	Trans GP BJT NPN 50V 4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
CPH6223-TL-E	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TRANS NPN 50V 3A CPH6	Для сравнения
FMB3946	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
ZXTD09N50DE6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN	Для сравнения