Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMP3A17E6TA Альтернативные части: DMG2307L-7 ,STR2P3LLH6
ZXMP3A17E6TADiodes Incorporated
В наличии: 94
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
41.100412 ₽
41.07 ₽
10
38.773970 ₽
387.77 ₽
100
36.579217 ₽
3,657.97 ₽
500
34.508695 ₽
17,254.40 ₽
1000
32.555371 ₽
32,555.36 ₽
Цена за единицу: 41.100412 ₽
Итоговая цена: 41.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 5 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 6 | 3 | 3 |
Вес | 14.996898mg | 7.994566mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.2A Ta | 2.5A Ta | 2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 1.1W Ta | 760mW Ta | 350mW Tc |
Время отключения | 29.2 ns | 22.4 ns | 19.2 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2006 | 2011 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 3 | - |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 70mOhm | - | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | LOW THRESHOLD | HIGH RELIABILITY | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Моментальный ток | -4A | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | - |
Число контактов | 6 | 3 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 1.1W | 1.36W | 350mW |
Время задержки включения | 1.74 ns | 4.8 ns | 5.4 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 70m Ω @ 3.2A, 10V | 90m Ω @ 2.5A, 10V | 56m Ω @ 1A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 630pF @ 15V | 371.3pF @ 15V | 639pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15.8nC @ 10V | 8.2nC @ 10V | 6nC @ 4.5V |
Время подъема | 2.87ns | 7.3ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 2.87 ns | 13.4 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 4A | 3.8A | -2A |
Пороговое напряжение | -1V | - | -1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 3.2A | 2.5A | - |
Двухпитание напряжения | -30V | - | - |
Номинальное Vgs | -800 mV | - | - |
Высота | 1.3mm | 1mm | 1.25mm |
Длина | 3.1mm | 3mm | 3.04mm |
Ширина | 1.8mm | 1.4mm | 1.75mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) |
Производитель идентификатор упаковки | - | - | SOT-23-8162275_998G |
Серия | - | - | STripFET™ H6 |
Основной номер части | - | - | STR2 |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | - | -30V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 | Для сравнения |
| DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | Для сравнения |
| DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
 | STR2P3LLH6 | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 | Для сравнения |