ZXMP3A17E6TA Альтернативные части: DMN3110S-7

ZXMP3A17E6TADiodes Incorporated

В наличии: 94

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
41.100412 ₽
41.07 ₽
10
38.773970 ₽
387.77 ₽
100
36.579217 ₽
3,657.97 ₽
500
34.508695 ₽
17,254.40 ₽
1000
32.555371 ₽
32,555.36 ₽

Цена за единицу: 41.100412 ₽

Итоговая цена: 41.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXMP3A17E6TA	иDMN3110S-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Срок поставки от производителя	17 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	6	3
Вес	14.996898mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	3.2A Ta	2.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.1W Ta	740mW Ta
Время отключения	29.2 ns	13.1 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	3
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	70mOhm	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOW THRESHOLD	HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	-30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	-4A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	6	3
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Каналов количество	1	1
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.1W	1.8W
Время задержки включения	1.74 ns	2.6 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	70m Ω @ 3.2A, 10V	73m Ω @ 3.1mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	630pF @ 15V	305.8pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	15.8nC @ 10V	8.6nC @ 10V
Время подъема	2.87ns	4.6ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	2.87 ns	2.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	4A	3.3A
Пороговое напряжение	-1V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	3.2A	2.5A
Двухпитание напряжения	-30V	-
Номинальное Vgs	-800 mV	-
Высота	1.3mm	1mm
Длина	3.1mm	3mm
Ширина	1.8mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Gold
Конфигурация элемента	-	Single
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXMN3F30FHTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3	Для сравнения
DMN3110S-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23	Для сравнения
DMG2307L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K	Для сравнения
STR2P3LLH6	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23	Для сравнения