Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMN3G32DN8TA Альтернативные части: FDS8978 ,SI4936BDY-T1-GE3
ZXMN3G32DN8TADiodes Incorporated
В наличии: 508
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
121.850220 ₽
121.84 ₽
10
114.953022 ₽
1,149.59 ₽
100
108.446223 ₽
10,844.64 ₽
500
102.307747 ₽
51,153.85 ₽
1000
96.516786 ₽
96,516.76 ₽
Цена за единицу: 121.850220 ₽
Итоговая цена: 121.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 10 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 187mg | 506.605978mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.5A | - | - |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 14 ns | 48 ns | 12 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2001 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 45mOhm | 18MOhm | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Pure Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 2.1W | 1.6W | 2.8W |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 30 |
Число контактов | 8 | - | 8 |
Каналов количество | 2 | - | 2 |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.1W | 1.6W | - |
Время задержки включения | 2.5 ns | 7 ns | 5 ns |
Мощность - Макс | 1.8W | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 6A, 10V | 18m Ω @ 7.5A, 10V | 35m Ω @ 5.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 472pF @ 15V | 1270pF @ 15V | 530pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 10.5nC @ 10V | 26nC @ 10V | 15nC @ 10V |
Время подъема | 3.1ns | 37ns | 25ns |
Время падения (тип) | 9.7 ns | 37 ns | 10 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.1A | 7.5A | 6.9A |
Пороговое напряжение | 3V | 2.5V | 3V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.5A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | 3 V | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | - |
Длина | 5mm | 5mm | - |
Ширина | 4mm | 4mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Серия | - | PowerTrench® | TrenchFET® |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Основной номер части | - | - | SI4936 |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.035Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4936BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC | Для сравнения |
 | FDS8978 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V | Для сравнения |