ZXMN3G32DN8TA Альтернативные части: SI4936BDY-T1-E3

ZXMN3G32DN8TADiodes Incorporated

В наличии: 508

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
121.850220 ₽
121.84 ₽
10
114.953022 ₽
1,149.59 ₽
100
108.446223 ₽
10,844.64 ₽
500
102.307747 ₽
51,153.85 ₽
1000
96.516786 ₽
96,516.76 ₽

Цена за единицу: 121.850220 ₽

Итоговая цена: 121.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXMN3G32DN8TA	иSI4936BDY-T1-E3
Производитель:	Diodes Incorporated	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC
Срок поставки от производителя	17 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	506.605978mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.5A	-
Количество элементов	2	2
Время отключения	14 ns	12 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2009
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	45mOhm	35mOhm
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	2.1W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	2	2
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.1W	2W
Время задержки включения	2.5 ns	5 ns
Мощность - Макс	1.8W	2.8W
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	28m Ω @ 6A, 10V	35m Ω @ 5.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	472pF @ 15V	530pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	10.5nC @ 10V	15nC @ 10V
Время подъема	3.1ns	25ns
Время падения (тип)	9.7 ns	25 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.1A	6.9A
Пороговое напряжение	3V	3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.5A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	3 V	3 V
Высота	1.5mm	1.55mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Серия	-	TrenchFET®
Основной номер части	-	SI4936
Максимальный импульсный ток вывода	-	30A

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4936BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC	Для сравнения
FDS8978	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
SI4936BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC	Для сравнения
SI4210DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V	Для сравнения