Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMN3AMCTA Альтернативные части: ZXMC3AMCTA ,DMG4468LFG-7
ZXMN3AMCTADiodes Incorporated
В наличии: 41
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
22.884808 ₽
22.94 ₽
10
21.589464 ₽
215.93 ₽
100
20.367404 ₽
2,036.68 ₽
500
19.214533 ₽
9,607.28 ₽
1000
18.126896 ₽
18,126.92 ₽
Цена за единицу: 22.884808 ₽
Итоговая цена: 22.94 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R |
Срок поставки от производителя | 36 Weeks | 17 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-VDFN Exposed Pad | 8-WDFN Exposed Pad | 8-PowerUDFN |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.7A Ta | 2.9A 2.1A | 7.62A Ta |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 6.6 ns | 11.3 ns | 18.84 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
Опубликовано | 2010 | 2010 | 2009 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | 1.7W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 8 | 8 |
Конфигурация элемента | Dual | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.45W | 2.45W | - |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 1.7 ns | 1.5 ns | 5.46 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 120m Ω @ 2.5A, 10V | 120m Ω @ 2.5A, 10V | 15m Ω @ 11.6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 190pF @ 25V | 190pF @ 25V | 867pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | 3.9nC @ 10V | 18.85nC @ 10V |
Время подъема | 2.3ns | 2.8ns | 14.53ns |
Время падения (тип) | 2.9 ns | 7.5 ns | 6.01 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.7A | 2.1A | 7.62A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 13A | 13A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Standard | Logic Level Gate | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Сопротивление | - | 210mOhm | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 3.7A | - |
Высота | - | 780μm | - |
Длина | - | 3.08mm | - |
Ширина | - | 2.075mm | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 990mW Ta |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-N5 |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Каналов количество | - | - | 1 |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4898NFT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | Для сравнения |
 | ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-WDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | Для сравнения |
 | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | Для сравнения |
 | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | Для сравнения |