ZXMN3AMCTADiodes Incorporated
В наличии: 41
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
22.884808 ₽
22.94 ₽
10
21.589464 ₽
215.93 ₽
100
20.367404 ₽
2,036.68 ₽
500
19.214533 ₽
9,607.28 ₽
1000
18.126896 ₽
18,126.92 ₽
Цена за единицу: 22.884808 ₽
Итоговая цена: 22.94 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 |
Срок поставки от производителя | 36 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-VDFN Exposed Pad | 3-UFDFN |
Количество контактов | 8 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.7A Ta | 400mA Ta |
Количество элементов | 2 | - |
Время отключения | 6.6 ns | 31.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2010 | 2017 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | - |
Конфигурация элемента | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.45W | - |
Сокетная связка | DRAIN | - |
Время задержки включения | 1.7 ns | 3.6 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 120m Ω @ 2.5A, 10V | 2.4 Ω @ 200mA, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 190pF @ 25V | 51pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | 1.3nC @ 10V |
Время подъема | 2.3ns | 8.5ns |
Время падения (тип) | 2.9 ns | 20.2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.7A | 500mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 13A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Standard | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 500mW Ta |
Каналов количество | - | 1 |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 0.5A |
Высота | - | 480μm |
Длина | - | 1.08mm |
Ширина | - | 675μm |