ZXMN3AMCTA Альтернативные части: DMP32D4SFB-7B

ZXMN3AMCTADiodes Incorporated

  • ZXMN3AMCTADiodes Incorporated
  • DMP32D4SFB-7BDiodes Incorporated

В наличии: 41

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    22.884808 ₽

    22.94 ₽

  • 10

    21.589464 ₽

    215.93 ₽

  • 100

    20.367404 ₽

    2,036.68 ₽

  • 500

    19.214533 ₽

    9,607.28 ₽

  • 1000

    18.126896 ₽

    18,126.92 ₽

Цена за единицу: 22.884808 ₽

Итоговая цена: 22.94 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
Срок поставки от производителя
36 Weeks
16 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-VDFN Exposed Pad
3-UFDFN
Количество контактов
8
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
3.7A Ta
400mA Ta
Количество элементов
2
-
Время отключения
6.6 ns
31.3 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2010
2017
Код JESD-609
e4
e4
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Максимальная потеря мощности
1.7W
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
30
Число контактов
8
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
-
Распад мощности
2.45W
-
Сокетная связка
DRAIN
-
Время задержки включения
1.7 ns
3.6 ns
Тип ТРВ
2 N-Channel (Dual)
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
120m Ω @ 2.5A, 10V
2.4 Ω @ 200mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
2.3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
190pF @ 25V
51pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
1.3nC @ 10V
Время подъема
2.3ns
8.5ns
Время падения (тип)
2.9 ns
20.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)
3.7A
500mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
-30V
Максимальный импульсный ток вывода
13A
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
Характеристика ТРП
Standard
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
-
2.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния
-
500mW Ta
Каналов количество
-
1
Напряжение стока-исток (Vdss)
-
30V
Угол настройки (макс.)
-
±20V
Максимальный сливовой ток (ID)
-
0.5A
Высота
-
480μm
Длина
-
1.08mm
Ширина
-
675μm