ZXMN3AMCTA Альтернативные части: NTMFS4898NFT3G ,ZXMC3AMCTA

ZXMN3AMCTADiodes Incorporated

  • ZXMN3AMCTADiodes Incorporated
  • NTMFS4898NFT3GON Semiconductor
  • ZXMC3AMCTADiodes Incorporated

В наличии: 41

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    22.884808 ₽

    22.94 ₽

  • 10

    21.589464 ₽

    215.93 ₽

  • 100

    20.367404 ₽

    2,036.68 ₽

  • 500

    19.214533 ₽

    9,607.28 ₽

  • 1000

    18.126896 ₽

    18,126.92 ₽

Цена за единицу: 22.884808 ₽

Итоговая цена: 22.94 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Срок поставки от производителя
36 Weeks
-
17 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-VDFN Exposed Pad
8-PowerTDFN, 5 Leads
8-WDFN Exposed Pad
Количество контактов
8
5
8
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
3.7A Ta
13.2A Ta 117A Tc
2.9A 2.1A
Количество элементов
2
1
2
Время отключения
6.6 ns
28 ns
11.3 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
-
Опубликовано
2010
2007
2010
Код JESD-609
e4
e3
e4
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
5
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Tin (Sn)
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
1.7W
-
1.7W
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Число контактов
8
5
8
Конфигурация элемента
Dual
Single
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
2.45W
73.5W
2.45W
Сокетная связка
DRAIN
DRAIN
DRAIN
Время задержки включения
1.7 ns
17.6 ns
1.5 ns
Тип ТРВ
2 N-Channel (Dual)
N-Channel
N and P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
120m Ω @ 2.5A, 10V
3m Ω @ 30A, 10V
120m Ω @ 2.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
2.5V @ 1mA
3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
190pF @ 25V
3233pF @ 12V
190pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
49.5nC @ 10V
3.9nC @ 10V
Время подъема
2.3ns
23ns
2.8ns
Время падения (тип)
2.9 ns
8.3 ns
7.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)
3.7A
117A
2.1A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
30V
-30V
Максимальный импульсный ток вывода
13A
234A
13A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
Standard
-
Logic Level Gate
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
-
4.5V 10V
-
Максимальная мощность рассеяния
-
930mW Ta 73.5W Tc
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
FLAT
-
Угол настройки (макс.)
-
±20V
-
Пороговое напряжение
-
1.5V
-
Сопротивление открытого канала-макс
-
0.0048Ohm
-
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
228 mJ
-
Высота
-
1.1mm
780μm
Длина
-
5.1mm
3.08mm
Ширина
-
6.1mm
2.075mm
Сопротивление
-
-
210mOhm
Напряжение стока-исток (Vdss)
-
-
30V
Полярность/Тип канала
-
-
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)
-
-
3.7A