Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMC3AMCTA Альтернативные части: DMP32D4SFB-7B ,ZXMN3AMCTA
ZXMC3AMCTADiodes Incorporated
В наличии: 27860
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
93.066703 ₽
93.13 ₽
10
87.798750 ₽
878.02 ₽
100
82.829080 ₽
8,282.97 ₽
500
78.140632 ₽
39,070.33 ₽
1000
73.717555 ₽
73,717.58 ₽
Цена за единицу: 93.066703 ₽
Итоговая цена: 93.13 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 16 Weeks | 36 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-WDFN Exposed Pad | 3-UFDFN | 8-VDFN Exposed Pad |
Количество контактов | 8 | 3 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.9A 2.1A | 400mA Ta | 3.7A Ta |
Количество элементов | 2 | - | 2 |
Время отключения | 11.3 ns | 31.3 ns | 6.6 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2010 | 2017 | 2010 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 210mOhm | - | - |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.7W | - | 1.7W |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 | 40 |
Число контактов | 8 | - | 8 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.45W | - | 2.45W |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Время задержки включения | 1.5 ns | 3.6 ns | 1.7 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 120m Ω @ 2.5A, 10V | 2.4 Ω @ 200mA, 10V | 120m Ω @ 2.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 190pF @ 25V | 51pF @ 15V | 190pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 3.9nC @ 10V | 1.3nC @ 10V | 2.3nC @ 4.5V |
Время подъема | 2.8ns | 8.5ns | 2.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 7.5 ns | 20.2 ns | 2.9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.1A | 500mA | 3.7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 3.7A | 0.5A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 13A | - | 13A |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Standard |
Высота | 780μm | 480μm | - |
Длина | 3.08mm | 1.08mm | - |
Ширина | 2.075mm | 675μm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 500mW Ta | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMN3AMCTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | Для сравнения |
 | NTMFD4902NFT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Для сравнения |
 | DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerUDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R | Для сравнения |
 | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | Для сравнения |