ZXMC3AMCTA Альтернативные части: DMG4468LFG-7

ZXMC3AMCTADiodes Incorporated

В наличии: 27860

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
93.066703 ₽
93.13 ₽
10
87.798750 ₽
878.02 ₽
100
82.829080 ₽
8,282.97 ₽
500
78.140632 ₽
39,070.33 ₽
1000
73.717555 ₽
73,717.58 ₽

Цена за единицу: 93.066703 ₽

Итоговая цена: 93.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXMC3AMCTA	иDMG4468LFG-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R	Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R
Срок поставки от производителя	17 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-WDFN Exposed Pad	8-PowerUDFN
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	2.9A 2.1A	7.62A Ta
Количество элементов	2	1
Время отключения	11.3 ns	18.84 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2010	2009
Код JESD-609	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	210mOhm	-
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	1.7W	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	8	8
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.45W	-
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	1.5 ns	5.46 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	120m Ω @ 2.5A, 10V	15m Ω @ 11.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	190pF @ 25V	867pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	3.9nC @ 10V	18.85nC @ 10V
Время подъема	2.8ns	14.53ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Время падения (тип)	7.5 ns	6.01 ns
Непрерывный ток стока (ID)	2.1A	7.62A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	3.7A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	-
Максимальный импульсный ток вывода	13A	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-
Высота	780μm	-
Длина	3.08mm	-
Ширина	2.075mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	990mW Ta
Код JESD-30	-	R-PDSO-N5
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество	-	1
Угол настройки (макс.)	-	±20V
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXMN3AMCTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R	Для сравнения
NTMFD4902NFT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-PowerTDFN	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Для сравнения
DMG4468LFG-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerUDFN	Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R	Для сравнения
DMP32D4SFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323	Для сравнения