Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXM61P03FTA Альтернативные части: ZXM61N03FTA ,ZXMP3A13FTA
ZXM61P03FTADiodes Incorporated
В наличии: 3303
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.403846 ₽
7.42 ₽
10
6.984766 ₽
69.78 ₽
100
6.589396 ₽
658.93 ₽
500
6.216415 ₽
3,108.24 ₽
1000
5.864533 ₽
5,864.56 ₽
Цена за единицу: 7.403846 ₽
Итоговая цена: 7.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 17 Weeks | 17 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 1.1A Ta | 1.4A Ta | 1.4A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 625mW Ta | 625mW Ta | 625mW Ta |
Время отключения | 8.9 ns | 5.8 ns | 11.1 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2006 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 350mOhm | 220mOhm | 210mOhm |
Дополнительная Характеристика | LOW THRESHOLD | LOW THRESHOLD | LOW THRESHOLD |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | 30V | -30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | -1.1A | 1.2A | -1.6A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 625mW | 806mW | 806mW |
Время задержки включения | 1.9 ns | 1.9 ns | 1.5 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 350m Ω @ 600mA, 10V | 220m Ω @ 910mA, 10V | 210m Ω @ 1.4A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 140pF @ 25V | 150pF @ 25V | 206pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 4.8nC @ 10V | 4.1nC @ 10V | 6.4nC @ 10V |
Время подъема | 2.9ns | 2.5ns | 3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 2.9 ns | 2.5 ns | 3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 1.1A | 1.4A | 1.6A |
Пороговое напряжение | 1V | - | -1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | - |
Двухпитание напряжения | -30V | 30V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Номинальное Vgs | -1 V | 1 V | - |
Высота | 1.1mm | 1.02mm | 1.02mm |
Длина | 3.04mm | 3.04mm | 3.04mm |
Ширина | 1.4mm | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | Для сравнения |
| ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | Для сравнения |
 | BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | Для сравнения |
| FDN361BN | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | Для сравнения |