ZXM61P03FTA Альтернативные части: FDN361BN

ZXM61P03FTADiodes Incorporated

В наличии: 3303

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.403846 ₽
7.42 ₽
10
6.984766 ₽
69.78 ₽
100
6.589396 ₽
658.93 ₽
500
6.216415 ₽
3,108.24 ₽
1000
5.864533 ₽
5,864.56 ₽

Цена за единицу: 7.403846 ₽

Итоговая цена: 7.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXM61P03FTA	иFDN361BN
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3	MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
Срок поставки от производителя	17 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.1A Ta	1.4A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	625mW Ta	500mW Ta
Время отключения	8.9 ns	16 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2017
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	350mOhm	-
Дополнительная Характеристика	LOW THRESHOLD	FAST SWITCHING
Ток постоянного напряжения - номинальный	-30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	-1.1A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	NOT SPECIFIED
Число контактов	3	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	625mW	500mW
Время задержки включения	1.9 ns	3 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	350m Ω @ 600mA, 10V	110m Ω @ 1.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	140pF @ 25V	193pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	4.8nC @ 10V	1.8nC @ 4.5V
Время подъема	2.9ns	8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	2.9 ns	8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	1.1A	1.4A
Пороговое напряжение	1V	2.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V
Двухпитание напряжения	-30V	-
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Номинальное Vgs	-1 V	-
Высота	1.1mm	940μm
Длина	3.04mm	1.4mm
Ширина	1.4mm	2.92mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
Серия	-	PowerTrench®
Квалификационный Статус	-	Not Qualified

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXM61N03FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3	Для сравнения
ZXMP3A13FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3	Для сравнения
BSS316NH6327XTSA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23	Для сравнения
FDN361BN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3	Для сравнения