Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXM61N03FTA Альтернативные части: FDN358P ,ZXM61P03FTA
ZXM61N03FTADiodes Incorporated
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.180769 ₽
9.20 ₽
10
8.661099 ₽
86.68 ₽
100
8.170852 ₽
817.03 ₽
500
7.708352 ₽
3,854.12 ₽
1000
7.272033 ₽
7,271.98 ₽
Цена за единицу: 9.180769 ₽
Итоговая цена: 9.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 10 Weeks | 17 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 1.4A Ta | 1.5A Ta | 1.1A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 625mW Ta | 500mW Ta | 625mW Ta |
Время отключения | 5.8 ns | 12 ns | 8.9 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2003 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 220mOhm | 125MOhm | 350mOhm |
Дополнительная Характеристика | LOW THRESHOLD | - | LOW THRESHOLD |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | -30V | -30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Моментальный ток | 1.2A | -1.5A | -1.1A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 806mW | 500mW | 625mW |
Время задержки включения | 1.9 ns | 5 ns | 1.9 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 220m Ω @ 910mA, 10V | 125m Ω @ 1.5A, 10V | 350m Ω @ 600mA, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 150pF @ 25V | 182pF @ 15V | 140pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 4.1nC @ 10V | 5.6nC @ 10V | 4.8nC @ 10V |
Время подъема | 2.5ns | 13ns | 2.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 2.5 ns | 13 ns | 2.9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 1.4A | 1.5A | 1.1A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V | -30V |
Двухпитание напряжения | 30V | -30V | -30V |
Номинальное Vgs | 1 V | -1.9 V | -1 V |
Высота | 1.02mm | 1.22mm | 1.1mm |
Длина | 3.04mm | 2.92mm | 3.04mm |
Ширина | 1.4mm | 3.05mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Серия | - | PowerTrench® | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Пороговое напряжение | - | -1.9V | 1V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN358P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | Для сравнения |
 | ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | Для сравнения |
| NDS355AN | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | Для сравнения |