ZXM61N03FTA Альтернативные части: FDN358P

ZXM61N03FTADiodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.180769 ₽
9.20 ₽
10
8.661099 ₽
86.68 ₽
100
8.170852 ₽
817.03 ₽
500
7.708352 ₽
3,854.12 ₽
1000
7.272033 ₽
7,271.98 ₽

Цена за единицу: 9.180769 ₽

Итоговая цена: 9.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZXM61N03FTA	иFDN358P
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3	30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3
Срок поставки от производителя	17 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.4A Ta	1.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	625mW Ta	500mW Ta
Время отключения	5.8 ns	12 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2003
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	220mOhm	125MOhm
Дополнительная Характеристика	LOW THRESHOLD	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Моментальный ток	1.2A	-1.5A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	3	-
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	806mW	500mW
Время задержки включения	1.9 ns	5 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	220m Ω @ 910mA, 10V	125m Ω @ 1.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	150pF @ 25V	182pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	4.1nC @ 10V	5.6nC @ 10V
Время подъема	2.5ns	13ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	2.5 ns	13 ns
Непрерывный ток стока (ID)	1.4A	1.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-30V
Двухпитание напряжения	30V	-30V
Номинальное Vgs	1 V	-1.9 V
Высота	1.02mm	1.22mm
Длина	3.04mm	2.92mm
Ширина	1.4mm	3.05mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Серия	-	PowerTrench®
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Пороговое напряжение	-	-1.9V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDN358P	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3	Для сравнения
ZXM61P03FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3	Для сравнения
NDS355AN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения
ZXMP3A13FTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3	Для сравнения