ZUMTS17NTA Альтернативные части: BFR93AW,135 ,MMSTA42-7-F

ZUMTS17NTADiodes Incorporated

  • ZUMTS17NTADiodes Incorporated
  • BFR93AW,135NXP USA Inc.
  • MMSTA42-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 4327

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.134725 ₽

    44.09 ₽

  • 10

    41.636511 ₽

    416.35 ₽

  • 100

    39.279712 ₽

    3,928.02 ₽

  • 500

    37.056374 ₽

    18,528.16 ₽

  • 1000

    34.958832 ₽

    34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
ZUMTS Series 11 V 50 mA Surface Mount NPN Transistor - SOT-323
RF Bipolar Transistors Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz
TRANS NPN 300V 0.2A SC70-3
Срок поставки от производителя
15 Weeks
26 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
-
3
Вес
6.010099mg
-
6.010099mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
11V
-
300V
Количество элементов
1
-
1
Минимальная частота работы в герцах
56
-
25
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
1995
2007
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
-
Максимальная потеря мощности
330mW
-
200mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Основной номер части
ZUMTS17
BFR93
MMSTA42
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Мощность - Макс
330mW
300mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
3.2 GHz
-
50MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
11V
-
300V
Максимальный ток сбора
50mA
-
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
56 @ 5mA 10V
40 @ 30mA 5V
40 @ 30mA 10V
Частота перехода
3200MHz
-
50MHz
Максимальное напряжение разрушения
11V
-
300V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
-
300V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
-
6V
Сопротивление базы-эмиттора макс
1.5pF
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
35mA
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
12V
-
Частота - Переход
-
5GHz
-
Дата проверки статуса URL-адреса источника
-
2013-06-14 00:00:00
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
-
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
-
Покрытие контактов
-
-
Tin
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
300V
Моментальный ток
-
-
200mA
Частота
-
-
50MHz
Распад мощности
-
-
200mW
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
-
500mV @ 2mA, 20mA
Прямоходящий ток коллектора
-
-
200mA
Высота
-
-
1mm
Длина
-
-
2.2mm
Ширина
-
-
1.35mm
Без свинца
-
-
Lead Free