ZUMTS17NTA Альтернативные части: BFR93AW,135

ZUMTS17NTADiodes Incorporated

  • ZUMTS17NTADiodes Incorporated
  • BFR93AW,135NXP USA Inc.

В наличии: 4327

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.134725 ₽

    44.09 ₽

  • 10

    41.636511 ₽

    416.35 ₽

  • 100

    39.279712 ₽

    3,928.02 ₽

  • 500

    37.056374 ₽

    18,528.16 ₽

  • 1000

    34.958832 ₽

    34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
ZUMTS Series 11 V 50 mA Surface Mount NPN Transistor - SOT-323
RF Bipolar Transistors Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz
Срок поставки от производителя
15 Weeks
26 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
-
Вес
6.010099mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
11V
-
Количество элементов
1
-
Минимальная частота работы в герцах
56
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
1995
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная потеря мощности
330mW
-
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
ZUMTS17
BFR93
Число контактов
3
3
Конфигурация элемента
Single
-
Мощность - Макс
330mW
300mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
3.2 GHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
11V
-
Максимальный ток сбора
50mA
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
56 @ 5mA 10V
40 @ 30mA 5V
Частота перехода
3200MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
11V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
1.5pF
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
35mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
12V
Частота - Переход
-
5GHz
Дата проверки статуса URL-адреса источника
-
2013-06-14 00:00:00
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
-
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz