ZDT6753TA Альтернативные части: ZDT749TA

ZDT6753TADiodes Incorporated

  • ZDT6753TADiodes Incorporated
  • ZDT749TADiodes Incorporated

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    68.511264 ₽

    68.54 ₽

  • 10

    64.633269 ₽

    646.29 ₽

  • 100

    60.974780 ₽

    6,097.53 ₽

  • 500

    57.523379 ₽

    28,761.68 ₽

  • 1000

    54.267335 ₽

    54,267.31 ₽

Цена за единицу: 68.511264 ₽

Итоговая цена: 68.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8
TRANS 2PNP 25V 2A SM8
Срок поставки от производителя
15 Weeks
16 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
Количество контактов
8
8
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
100V
25V
Количество элементов
2
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2000
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
no
no
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
2.75W
2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
2A
-6A
Частота
175MHz
160MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
ZDT6753
ZDT749
Число контактов
8
8
Направленность
NPN, PNP
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
2.75W
2.75W
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
175MHz
160MHz
Тип транзистора
NPN, PNP
2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
25V
Максимальный ток сбора
2A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 500mA 2V
100 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
500mV @ 200mA, 2A
Частота перехода
175MHz
160MHz
Максимальное напряжение разрушения
100V
25V
Частота - Переход
175MHz 140MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
120V
35V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-5V
Прямоходящий ток коллектора
2A
-2A
Высота
1.6mm
1.6mm
Длина
6.7mm
6.7mm
Ширина
3.7mm
3.7mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-25V