ZDT6753TA Альтернативные части: ZDT6790TA

ZDT6753TADiodes Incorporated

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
68.511264 ₽
68.54 ₽
10
64.633269 ₽
646.29 ₽
100
60.974780 ₽
6,097.53 ₽
500
57.523379 ₽
28,761.68 ₽
1000
54.267335 ₽
54,267.31 ₽

Цена за единицу: 68.511264 ₽

Итоговая цена: 68.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иZDT6753TA	иZDT6790TA
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8	TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SMD, Gull Wing	8-SMD, Gull Wing
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	100V	40V
Количество элементов	2	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2000	2006
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	no	no
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	2.75W	2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	2A	2A
Частота	175MHz	150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	ZDT6753	ZDT6790
Число контактов	8	8
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	2.75W	2.75W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	175MHz	150MHz
Тип транзистора	NPN, PNP	NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	100V	500mV
Максимальный ток сбора	2A	2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 500mA 2V	400 @ 1A 2V / 300 @ 10mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A	500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A
Частота перехода	175MHz	150MHz
Максимальное напряжение разрушения	100V	40V
Частота - Переход	175MHz 140MHz	150MHz 100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	2A	2A
Высота	1.6mm	1.6mm
Длина	6.7mm	6.7mm
Ширина	3.7mm	3.7mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Время отключения	-	1.3 μs
Минимальная частота работы в герцах	-	150
Время задержки включения	-	33 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	45V 40V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZDT6753TC	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	8-SMD, Gull Wing	TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8	Для сравнения
ZDT749TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	8-SMD, Gull Wing	TRANS 2PNP 25V 2A SM8	Для сравнения
ZDT6790TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	8-SMD, Gull Wing	TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8	Для сравнения