ZDT1053TA Альтернативные части: ZDT1049TA ,ZDT1048TA

ZDT1053TADiodes Incorporated

  • ZDT1053TADiodes Incorporated
  • ZDT1049TADiodes Incorporated
  • ZDT1048TADiodes Incorporated

В наличии: 13

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    149.674286 ₽

    149.73 ₽

  • 10

    141.202143 ₽

    1,412.09 ₽

  • 100

    133.209533 ₽

    13,321.02 ₽

  • 500

    125.669409 ₽

    62,834.75 ₽

  • 1000

    118.556044 ₽

    118,556.04 ₽

Цена за единицу: 149.674286 ₽

Итоговая цена: 149.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 75V 5A 8-Pin SM8 T/R
TRANS 2NPN 25V 5A SM8
Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 8-Pin SM8 T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
Количество контактов
8
8
8
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
75V
25V
17.5V
Количество элементов
2
2
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2007
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
no
no
no
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
10
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
75V
25V
17.5V
Максимальная потеря мощности
2.75W
2.75W
2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
5A
5A
5A
Частота
140MHz
180MHz
150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
ZDT1053
ZDT1049
ZDT1048
Код JESD-30
R-PDSO-G10
-
-
Направленность
NPN
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
2.75W
2.75W
2.75W
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
140MHz
180MHz
150MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
75V
25V
17.5V
Максимальный ток сбора
5A
5A
5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 1A 2V
300 @ 1A 2V
300 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
10nA
10nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
440mV @ 250mA, 5A
220mV @ 50mA, 4A
300mV @ 50mA, 5A
Частота перехода
140MHz
180MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
75V
25V
17.5V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
150V
80V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
5A
5A
5A
Высота
1.6mm
1.6mm
1.6mm
Длина
6.7mm
6.7mm
6.7mm
Ширина
3.7mm
3.7mm
3.7mm
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Число контактов
-
8
8