ZDT1053TA Альтернативные части: ZDT6790TA

ZDT1053TADiodes Incorporated

  • ZDT1053TADiodes Incorporated
  • ZDT6790TADiodes Incorporated

В наличии: 13

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    149.674286 ₽

    149.73 ₽

  • 10

    141.202143 ₽

    1,412.09 ₽

  • 100

    133.209533 ₽

    13,321.02 ₽

  • 500

    125.669409 ₽

    62,834.75 ₽

  • 1000

    118.556044 ₽

    118,556.04 ₽

Цена за единицу: 149.674286 ₽

Итоговая цена: 149.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 75V 5A 8-Pin SM8 T/R
TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
Количество контактов
8
8
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
75V
40V
Количество элементов
2
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
no
no
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
10
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
75V
-
Максимальная потеря мощности
2.75W
2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
5A
2A
Частота
140MHz
150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
ZDT1053
ZDT6790
Код JESD-30
R-PDSO-G10
-
Направленность
NPN
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
2.75W
2.75W
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
140MHz
150MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
75V
500mV
Максимальный ток сбора
5A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 1A 2V
400 @ 1A 2V / 300 @ 10mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
440mV @ 250mA, 5A
500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A
Частота перехода
140MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
75V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
150V
45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
5A
2A
Высота
1.6mm
1.6mm
Длина
6.7mm
6.7mm
Ширина
3.7mm
3.7mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Время отключения
-
1.3 μs
Минимальная частота работы в герцах
-
150
Число контактов
-
8
Время задержки включения
-
33 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
45V 40V
Частота - Переход
-
150MHz 100MHz