ZDT1053TA Альтернативные части: ZDT1048TA ,ZDT6790TA

ZDT1053TADiodes Incorporated

  • ZDT1053TADiodes Incorporated
  • ZDT1048TADiodes Incorporated
  • ZDT6790TADiodes Incorporated

В наличии: 13

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    149.674286 ₽

    149.73 ₽

  • 10

    141.202143 ₽

    1,412.09 ₽

  • 100

    133.209533 ₽

    13,321.02 ₽

  • 500

    125.669409 ₽

    62,834.75 ₽

  • 1000

    118.556044 ₽

    118,556.04 ₽

Цена за единицу: 149.674286 ₽

Итоговая цена: 149.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 75V 5A 8-Pin SM8 T/R
Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 8-Pin SM8 T/R
TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
Количество контактов
8
8
8
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
75V
17.5V
40V
Количество элементов
2
2
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2007
2006
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
no
no
no
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
10
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
75V
17.5V
-
Максимальная потеря мощности
2.75W
2.75W
2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
5A
5A
2A
Частота
140MHz
150MHz
150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
ZDT1053
ZDT1048
ZDT6790
Код JESD-30
R-PDSO-G10
-
-
Направленность
NPN
NPN
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
2.75W
2.75W
2.75W
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
140MHz
150MHz
150MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
75V
17.5V
500mV
Максимальный ток сбора
5A
5A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 1A 2V
300 @ 500mA 2V
400 @ 1A 2V / 300 @ 10mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
10nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
440mV @ 250mA, 5A
300mV @ 50mA, 5A
500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A
Частота перехода
140MHz
150MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
75V
17.5V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
150V
50V
45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
5A
5A
2A
Высота
1.6mm
1.6mm
1.6mm
Длина
6.7mm
6.7mm
6.7mm
Ширина
3.7mm
3.7mm
3.7mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Число контактов
-
8
8
Время отключения
-
-
1.3 μs
Минимальная частота работы в герцах
-
-
150
Время задержки включения
-
-
33 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
45V 40V
Частота - Переход
-
-
150MHz 100MHz