ZDT1048TA Альтернативные части: ZDT1049TA ,ZDT1053TA

ZDT1048TADiodes Incorporated

  • ZDT1048TADiodes Incorporated
  • ZDT1049TADiodes Incorporated
  • ZDT1053TADiodes Incorporated

В наличии: 310

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    58.631058 ₽

    58.65 ₽

  • 10

    55.312321 ₽

    553.16 ₽

  • 100

    52.181442 ₽

    5,218.13 ₽

  • 500

    49.227775 ₽

    24,613.87 ₽

  • 1000

    46.441346 ₽

    46,441.35 ₽

Цена за единицу: 58.631058 ₽

Итоговая цена: 58.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 8-Pin SM8 T/R
TRANS 2NPN 25V 5A SM8
Trans GP BJT NPN 75V 5A 8-Pin SM8 T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
8-SMD, Gull Wing
Количество контактов
8
8
8
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
17.5V
25V
75V
Количество элементов
2
2
2
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2006
2006
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
no
no
no
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
10
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
17.5V
25V
75V
Максимальная потеря мощности
2.75W
2.75W
2.75W
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
5A
5A
5A
Частота
150MHz
180MHz
140MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
ZDT1048
ZDT1049
ZDT1053
Число контактов
8
8
-
Направленность
NPN
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
2.75W
2.75W
2.75W
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
150MHz
180MHz
140MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
17.5V
25V
75V
Максимальный ток сбора
5A
5A
5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 500mA 2V
300 @ 1A 2V
300 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA
10nA
10nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 5A
220mV @ 50mA, 4A
440mV @ 250mA, 5A
Частота перехода
150MHz
180MHz
140MHz
Максимальное напряжение разрушения
17.5V
25V
75V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
80V
150V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
5A
5A
5A
Высота
1.6mm
1.6mm
1.6mm
Длина
6.7mm
6.7mm
6.7mm
Ширина
3.7mm
3.7mm
3.7mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G10
REACH SVHC
-
-
No SVHC