ZDT1048TADiodes Incorporated
В наличии: 310
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
58.631058 ₽
58.65 ₽
10
55.312321 ₽
553.16 ₽
100
52.181442 ₽
5,218.13 ₽
500
49.227775 ₽
24,613.87 ₽
1000
46.441346 ₽
46,441.35 ₽
Цена за единицу: 58.631058 ₽
Итоговая цена: 58.65 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 17.5V 5A 8-Pin SM8 T/R | TRANS 2NPN 25V 5A SM8 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SMD, Gull Wing | 8-SMD, Gull Wing |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 17.5V | 25V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | no | no |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 17.5V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 2.75W | 2.75W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 5A | 5A |
Частота | 150MHz | 180MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | ZDT1048 | ZDT1049 |
Число контактов | 8 | 8 |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 2.75W | 2.75W |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 150MHz | 180MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 17.5V | 25V |
Максимальный ток сбора | 5A | 5A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 300 @ 500mA 2V | 300 @ 1A 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA | 10nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 5A | 220mV @ 50mA, 4A |
Частота перехода | 150MHz | 180MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 17.5V | 25V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 5A | 5A |
Высота | 1.6mm | 1.6mm |
Длина | 6.7mm | 6.7mm |
Ширина | 3.7mm | 3.7mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |