Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMX4NTR Альтернативные части: UMX5NTR ,UMH11NTN
UMX4NTRROHM Semiconductor
В наличии: 2954
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.222527 ₽
7.28 ₽
10
6.813709 ₽
68.13 ₽
100
6.428022 ₽
642.86 ₽
500
6.064176 ₽
3,032.14 ₽
1000
5.720920 ₽
5,720.88 ₽
Цена за единицу: 7.222527 ₽
Итоговая цена: 7.28 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS 2NPN 20V 0.05A 6UMT | TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 5 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 11V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 27 | 56 | 30 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2010 | 2004 |
Код JESD-609 | e2 | - | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | - | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 18V | 11V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Моментальный ток | 50mA | 50mA | 50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - | 10 |
Основной номер части | MX4 | MX5 | *MH11 |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW | 150mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 1.5 GHz | 3.2 GHz | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 500mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 10mA 10V | 56 @ 5mA 10V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 500nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 20mA | 500mV @ 5mA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 1500MHz | 3200MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 11V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 20V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 3V | - |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | 50mA | 100mA |
Максимальное напряжение на выходе | 0.5 V | - | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | 1.55pF | - |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Частота - Переход | - | - | 250MHz |
База (R1) | - | - | 10k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | - | 10k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMX5NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT | Для сравнения |
| UMH11NTN | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
 | DMC506E20R | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-363 | Для сравнения |
| UMD3NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |