UMX4NTR Альтернативные части: UMX5NTR

UMX4NTRROHM Semiconductor

В наличии: 2954

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.222527 ₽
7.28 ₽
10
6.813709 ₽
68.13 ₽
100
6.428022 ₽
642.86 ₽
500
6.064176 ₽
3,032.14 ₽
1000
5.720920 ₽
5,720.88 ₽

Цена за единицу: 7.222527 ₽

Итоговая цена: 7.28 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMX4NTR	иUMX5NTR
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS 2NPN 20V 0.05A 6UMT	TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT
Срок поставки от производителя	10 Weeks	5 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	20V	11V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	27	56
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2010
Код JESD-609	e2	-
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN COPPER	-
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	18V	11V
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Моментальный ток	50mA	50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	-
Основной номер части	MX4	MX5
Число контактов	6	6
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	150mW	150mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	1.5 GHz	3.2 GHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	20V	500mV
Максимальный ток сбора	50mA	50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	56 @ 10mA 10V	56 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 4mA, 20mA	500mV @ 5mA, 10mA
Частота перехода	1500MHz	3200MHz
Максимальное напряжение разрушения	20V	11V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3V	3V
Прямоходящий ток коллектора	50mA	50mA
Максимальное напряжение на выходе	0.5 V	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Сопротивление базы-эмиттора макс	-	1.55pF

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMX5NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT	Для сравнения
UMH11NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
DMC506E20R	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-363	Для сравнения
UMD3NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения