Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMX4NTR Альтернативные части: UMH11NTN ,DMC506E20R
UMX4NTRROHM Semiconductor
В наличии: 2954
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.222527 ₽
7.28 ₽
10
6.813709 ₽
68.13 ₽
100
6.428022 ₽
642.86 ₽
500
6.064176 ₽
3,032.14 ₽
1000
5.720920 ₽
5,720.88 ₽
Цена за единицу: 7.222527 ₽
Итоговая цена: 7.28 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS 2NPN 20V 0.05A 6UMT | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-363 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 13 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 50V | 20V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 27 | 30 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | - | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2004 | - |
Код JESD-609 | e2 | e2 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | Tin/Copper (Sn/Cu) | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 18V | 50V | - |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | 50mA | 50mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | MX4 | *MH11 | - |
Число контактов | 6 | 6 | - |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 1.5 GHz | - | 650MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 300mV | 20V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 100mA | 15mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 10mA 10V | 30 @ 5mA 5V | 65 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 500nA | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 20mA | 300mV @ 500μA, 10mA | - |
Частота перехода | 1500MHz | 250MHz | 650MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 50V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | - | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | - | 3V |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | 100mA | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.5 V | 0.3 V | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - |
Максимальный выходной ток | - | 100mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
Частота - Переход | - | 250MHz | - |
База (R1) | - | 10k Ω | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10k Ω | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 15mA |
Код соответствия REACH | - | - | unknown |
Увеличение | - | - | 24dB |
Частотная полоса наивысшего режима | - | - | VERY HIGH FREQUENCY B |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | - | - | 3.3dB @ 100MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMX5NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT | Для сравнения |
| UMH11NTN | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
 | DMC506E20R | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-363 | Для сравнения |
| UMD3NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |