UMX1NTN Альтернативные части: UMZ1NTR ,HN2C01FU-GR(T5L,F)

UMX1NTNROHM Semiconductor

В наличии: 78301

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.684066 ₽
4.67 ₽
10
4.418929 ₽
44.23 ₽
100
4.168805 ₽
416.90 ₽
500
3.932830 ₽
1,966.48 ₽
1000
3.710220 ₽
3,710.16 ₽

Цена за единицу: 4.684066 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMX1NTN	иUMZ1NTR	иHN2C01FU-GR(T5L,F)
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT	TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	-
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2000	2014
Код JESD-609	e2	e2	-
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Тип	General Purpose	General Purpose	-
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	-
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	-	-
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	200mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Моментальный ток	150mA	150mA	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	-	-
Основной номер части	*MX1	*MZ1	-
Число контактов	6	6	-
Направленность	NPN	PNP, NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	150mW	150mW	-
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-
Продуктивность полосы частот	180MHz	180MHz	80MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	NPN, PNP	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	250mV
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V	200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA	250mV @ 10mA, 100mA
Максимальная частота	100MHz	100MHz	-
Частота перехода	180MHz	180MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	-6V	5V
Прямоходящий ток коллектора	150mA	-150mA	-
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	0.4 V	-
Высота	900μm	900μm	-
Длина	2mm	2mm	-
Ширина	1.25mm	1.25mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Частота - Переход	-	180MHz 140MHz	-
Код соответствия REACH	-	-	unknown
Мощность - Макс	-	-	200mW

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HN2C01FU-GR(T5L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A US6	Для сравнения
UMX3NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMX2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMZ1NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения