Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMX1NTN Альтернативные части: HN2C01FU-GR(T5L,F)
UMX1NTNROHM Semiconductor
В наличии: 78301
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.684066 ₽
4.67 ₽
10
4.418929 ₽
44.23 ₽
100
4.168805 ₽
416.90 ₽
500
3.932830 ₽
1,966.48 ₽
1000
3.710220 ₽
3,710.16 ₽
Цена за единицу: 4.684066 ₽
Итоговая цена: 4.67 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2003 | 2014 |
Код JESD-609 | e2 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Тип | General Purpose | - |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn/Cu) | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 150mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - |
Основной номер части | *MX1 | - |
Число контактов | 6 | - |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Продуктивность полосы частот | 180MHz | 80MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 250mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V | 200 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Максимальная частота | 100MHz | - |
Частота перехода | 180MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 150mA | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.4 V | - |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2mm | - |
Ширина | 1.25mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Код соответствия REACH | - | unknown |
Мощность - Макс | - | 200mW |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN2C01FU-GR(T5L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 | Для сравнения |
 | UMX3NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
| UMX2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
| UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |