UMX1NTN Альтернативные части: UMX3NTR ,UMX2NTR

UMX1NTNROHM Semiconductor

  • UMX1NTNROHM Semiconductor
  • UMX3NTRROHM Semiconductor
  • UMX2NTRROHM Semiconductor

В наличии: 78301

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.684066 ₽

    4.67 ₽

  • 10

    4.418929 ₽

    44.23 ₽

  • 100

    4.168805 ₽

    416.90 ₽

  • 500

    3.932830 ₽

    1,966.48 ₽

  • 1000

    3.710220 ₽

    3,710.16 ₽

Цена за единицу: 4.684066 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
6
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
-
2
Минимальная частота работы в герцах
120
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
2011
2004
Код JESD-609
e2
-
e2
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
-
6
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Тип
General Purpose
-
-
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
TIN COPPER
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
150mA
150mA
150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
10
Основной номер части
*MX1
*MX3
*MX2
Число контактов
6
-
6
Направленность
NPN
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
150mW
150mW
150mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
180MHz
180MHz
180MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
400mV @ 5mA, 50mA
400mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
100MHz
100MHz
100MHz
Частота перехода
180MHz
-
180MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
7V
7V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
150mA
150mA
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
-
0.4 V
Высота
900μm
900μm
900μm
Длина
2mm
2mm
2mm
Ширина
1.25mm
1.25mm
1.25mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
UMT6
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
150mA
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Мощность - Макс
-
150mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
50V
-
Частота - Переход
-
180MHz
-
Завершение
-
-
SMD/SMT