UMX1NTN Альтернативные части: UMX2NTR ,UMZ1NTR

UMX1NTNROHM Semiconductor

В наличии: 78301

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.684066 ₽
4.67 ₽
10
4.418929 ₽
44.23 ₽
100
4.168805 ₽
416.90 ₽
500
3.932830 ₽
1,966.48 ₽
1000
3.710220 ₽
3,710.16 ₽

Цена за единицу: 4.684066 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMX1NTN	иUMX2NTR	иUMZ1NTR
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Срок поставки от производителя	13 Weeks	-	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2004	2000
Код JESD-609	e2	e2	e2
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Not For New Designs	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Тип	General Purpose	-	General Purpose
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn/Cu)	TIN COPPER	Tin/Copper (Sn/Cu)
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	-
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	-
Моментальный ток	150mA	150mA	150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	-
Основной номер части	*MX1	*MX2	*MZ1
Число контактов	6	6	6
Направленность	NPN	NPN	PNP, NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	180MHz	180MHz	180MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота	100MHz	100MHz	100MHz
Частота перехода	180MHz	180MHz	180MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	7V	-6V
Прямоходящий ток коллектора	150mA	150mA	-150mA
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	0.4 V	0.4 V
Высота	900μm	900μm	900μm
Длина	2mm	2mm	2mm
Ширина	1.25mm	1.25mm	1.25mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	-
Частота - Переход	-	-	180MHz 140MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HN2C01FU-GR(T5L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A US6	Для сравнения
UMX3NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMX2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMZ1NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения