UMX1NTN Альтернативные части: HN2C01FU-GR(T5L,F) ,UMX3NTR

UMX1NTNROHM Semiconductor

В наличии: 78301

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.684066 ₽
4.67 ₽
10
4.418929 ₽
44.23 ₽
100
4.168805 ₽
416.90 ₽
500
3.932830 ₽
1,966.48 ₽
1000
3.710220 ₽
3,710.16 ₽

Цена за единицу: 4.684066 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMX1NTN	иHN2C01FU-GR(T5L,F)	иUMX3NTR
Производитель:	ROHM Semiconductor	Toshiba Semiconductor and Storage	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	TRANS 2NPN 50V 0.15A US6	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
Срок поставки от производителя	13 Weeks	12 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	-	-
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	125°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2003	2014	2011
Код JESD-609	e2	-	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	-	-
Код ECCN	EAR99	-	-
Тип	General Purpose	-	-
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn/Cu)	-	-
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	-	50V
Максимальная потеря мощности	150mW	200mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	-	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Моментальный ток	150mA	-	150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	-	-
Основной номер части	*MX1	-	*MX3
Число контактов	6	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	150mW	-	150mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	-	-
Продуктивность полосы частот	180MHz	80MHz	180MHz
Тип транзистора	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	250mV	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	200 @ 2mA 6V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA	250mV @ 10mA, 100mA	400mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота	100MHz	-	100MHz
Частота перехода	180MHz	-	-
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	5V	7V
Прямоходящий ток коллектора	150mA	-	150mA
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	-	-
Высота	900μm	-	900μm
Длина	2mm	-	2mm
Ширина	1.25mm	-	1.25mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Код соответствия REACH	-	unknown	-
Мощность - Макс	-	200mW	150mW
Поставщик упаковки устройства	-	-	UMT6
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	-	150mA
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	-	50V
Частота - Переход	-	-	180MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HN2C01FU-GR(T5L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A US6	Для сравнения
UMX3NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMX2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения
UMZ1NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT	Для сравнения