UMH8NTR Альтернативные части: DTC143ZUAT106 ,DSC500100L

UMH8NTRROHM Semiconductor

  • UMH8NTRROHM Semiconductor
  • DTC143ZUAT106ROHM Semiconductor
  • DSC500100LPanasonic Electronic Components

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.225275 ₽

    6.18 ₽

  • 10

    5.872898 ₽

    58.79 ₽

  • 100

    5.540467 ₽

    553.98 ₽

  • 500

    5.226854 ₽

    2,613.46 ₽

  • 1000

    4.931003 ₽

    4,931.04 ₽

Цена за единицу: 6.225275 ₽

Итоговая цена: 6.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC
SC-70, SOT-323
SC-85
Количество контактов
6
3
85
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
80
210
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2006
2009
Код JESD-609
e2
e1
e6
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
DIGITAL
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
-
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
100mA
100mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
NOT SPECIFIED
Число контактов
6
3
-
Направленность
NPN
NPN
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
AMPLIFIER
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-
7V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
100
-
-
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
-
Высота
900μm
-
800μm
Длина
2.1mm
-
2mm
Ширина
1.35mm
-
1.25mm
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Завершение
-
SMD/SMT
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Основной номер части
-
DTC143
DSC5001
Максимальный выходной ток
-
100mA
-
Входной напряжение питания
-
50V
-
Распад мощности
-
200mW
-
Тип транзистора
-
NPN - Pre-Biased
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
80 @ 10mA 5V
210 @ 2mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA
100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 10mA, 100mA
Частота - Переход
-
250MHz
-
База (R1)
-
4.7 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47 k Ω
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Рабочая температура
-
-
150°C TJ
Код соответствия REACH
-
-
unknown
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-F3
Продуктивность полосы частот
-
-
150MHz
Полярность/Тип канала
-
-
NPN
Максимальная частота
-
-
150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
60V