Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMH8NTR Альтернативные части: DTC114TUAT106
UMH8NTRROHM Semiconductor
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.225275 ₽
6.18 ₽
10
5.872898 ₽
58.79 ₽
100
5.540467 ₽
553.98 ₽
500
5.226854 ₽
2,613.46 ₽
1000
4.931003 ₽
4,931.04 ₽
Цена за единицу: 6.225275 ₽
Итоговая цена: 6.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 6 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2009 |
Код JESD-609 | e2 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | DIGITAL | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Число контактов | 6 | 3 |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 100 | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | - |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2.1mm | - |
Ширина | 1.35mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Copper, Silver, Tin |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Завершение | - | SMD/SMT |
Положение терминала | - | DUAL |
Основной номер части | - | DTC114 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Распад мощности | - | 200mW |
Тип транзистора | - | NPN - Pre-Biased |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 100 @ 1mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 1mA, 10mA |
Частота - Переход | - | 250MHz |
База (R1) | - | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC500100L | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-85 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm | Для сравнения |
 | DTC143TUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTC114TUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTC143ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |