UMH8NTR Альтернативные части: DTC114TUAT106 ,DTC143ZUAT106

UMH8NTRROHM Semiconductor

  • UMH8NTRROHM Semiconductor
  • DTC114TUAT106ROHM Semiconductor
  • DTC143ZUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.225275 ₽

    6.18 ₽

  • 10

    5.872898 ₽

    58.79 ₽

  • 100

    5.540467 ₽

    553.98 ₽

  • 500

    5.226854 ₽

    2,613.46 ₽

  • 1000

    4.931003 ₽

    4,931.04 ₽

Цена за единицу: 6.225275 ₽

Итоговая цена: 6.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
80
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2009
2006
Код JESD-609
e2
-
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
DIGITAL
BUILT-IN BIAS RESISTOR
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Число контактов
6
3
3
Направленность
NPN
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
100
-
-
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
-
Высота
900μm
-
-
Длина
2.1mm
-
-
Ширина
1.35mm
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
-
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Завершение
-
SMD/SMT
SMD/SMT
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Основной номер части
-
DTC114
DTC143
Максимальный выходной ток
-
100mA
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
50V
Распад мощности
-
200mW
200mW
Тип транзистора
-
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
100 @ 1mA 5V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота - Переход
-
250MHz
250MHz
База (R1)
-
10 k Ω
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
100mA
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
-
47 k Ω