UMH8NTRROHM Semiconductor
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.225275 ₽
6.18 ₽
10
5.872898 ₽
58.79 ₽
100
5.540467 ₽
553.98 ₽
500
5.226854 ₽
2,613.46 ₽
1000
4.931003 ₽
4,931.04 ₽
Цена за единицу: 6.225275 ₽
Итоговая цена: 6.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC | SC-85 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 6 | 85 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 210 | 100 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e2 | e6 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | DIGITAL | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | FLAT | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
Моментальный ток | 100mA | - | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | NOT SPECIFIED | 10 |
Число контактов | 6 | - | 3 |
Направленность | NPN | - | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER | SWITCHING |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 150MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 7V | 5V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 100 | - | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | - | - |
Высота | 900μm | 800μm | - |
Длина | 2.1mm | 2mm | - |
Ширина | 1.35mm | 1.25mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Вид крепления | - | Surface Mount | Surface Mount |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Рабочая температура | - | 150°C TJ | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Основной номер части | - | DSC5001 | DTC143 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-F3 | - |
Продуктивность полосы частот | - | 150MHz | - |
Полярность/Тип канала | - | NPN | - |
Тип транзистора | - | NPN | NPN - Pre-Biased |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 210 @ 2mA 10V | 100 @ 1mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 100μA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 10mA, 100mA | 150mV @ 250μA, 5mA |
Максимальная частота | - | 150MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 60V | - |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA | 100mA |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Распад мощности | - | - | 200mW |
Частота - Переход | - | - | 250MHz |
База (R1) | - | - | 4.7 k Ω |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |