UMH8NTR Альтернативные части: DSC500100L ,DTC143TUAT106

UMH8NTRROHM Semiconductor

  • UMH8NTRROHM Semiconductor
  • DSC500100LPanasonic Electronic Components
  • DTC143TUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.225275 ₽

    6.18 ₽

  • 10

    5.872898 ₽

    58.79 ₽

  • 100

    5.540467 ₽

    553.98 ₽

  • 500

    5.226854 ₽

    2,613.46 ₽

  • 1000

    4.931003 ₽

    4,931.04 ₽

Цена за единицу: 6.225275 ₽

Итоговая цена: 6.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC
SC-85
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
85
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
210
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2009
2009
Код JESD-609
e2
e6
e1
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
DIGITAL
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
FLAT
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
100mA
-
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
NOT SPECIFIED
10
Число контактов
6
-
3
Направленность
NPN
-
NPN
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
150MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
7V
5V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
100
-
-
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
-
Высота
900μm
800μm
-
Длина
2.1mm
2mm
-
Ширина
1.35mm
1.25mm
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Рабочая температура
-
150°C TJ
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Основной номер части
-
DSC5001
DTC143
Код JESD-30
-
R-PDSO-F3
-
Продуктивность полосы частот
-
150MHz
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Тип транзистора
-
NPN
NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
210 @ 2mA 10V
100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100μA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 10mA, 100mA
150mV @ 250μA, 5mA
Максимальная частота
-
150MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
60V
-
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
100mA
Завершение
-
-
SMD/SMT
Максимальный выходной ток
-
-
100mA
Входной напряжение питания
-
-
50V
Распад мощности
-
-
200mW
Частота - Переход
-
-
250MHz
База (R1)
-
-
4.7 k Ω
REACH SVHC
-
-
No SVHC