UMD22NTR Альтернативные части: DTC143ZUAT106 ,DTA143ZUAT106

UMD22NTRROHM Semiconductor

  • UMD22NTRROHM Semiconductor
  • DTC143ZUAT106ROHM Semiconductor
  • DTA143ZUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 32844

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.185714 ₽

    5.22 ₽

  • 10

    4.892184 ₽

    48.90 ₽

  • 100

    4.615261 ₽

    461.54 ₽

  • 500

    4.354025 ₽

    2,177.06 ₽

  • 1000

    4.107569 ₽

    4,107.55 ₽

Цена за единицу: 5.185714 ₽

Итоговая цена: 5.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
6
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
80
80
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2006
2009
Код JESD-609
e2
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
-
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Основной номер части
*MD22
DTC143
DTA143
Число контактов
6
3
3
Направленность
NPN, PNP
NPN
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Распад мощности
150mW
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
NPN - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
-50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
250MHz
База (R1)
4.7k Ω
4.7 k Ω
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
100mA
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47k Ω
47 k Ω
47 k Ω
Высота
900μm
-
-
Длина
2.1mm
-
-
Ширина
1.35mm
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
-50V
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Моментальный ток
-
100mA
-100mA
Максимальный выходной ток
-
100mA
-
Входной напряжение питания
-
50V
-
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Каналов количество
-
-
1