Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMD22NTR Альтернативные части: DTC143ZUAT106
UMD22NTRROHM Semiconductor
В наличии: 32844
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.185714 ₽
5.22 ₽
10
4.892184 ₽
48.90 ₽
100
4.615261 ₽
461.54 ₽
500
4.354025 ₽
2,177.06 ₽
1000
4.107569 ₽
4,107.55 ₽
Цена за единицу: 5.185714 ₽
Итоговая цена: 5.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 6 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2006 |
Код JESD-609 | e2 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | *MD22 | DTC143 |
Число контактов | 6 | 3 |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Single |
Распад мощности | 150mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 4.7k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47 k Ω |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2.1mm | - |
Ширина | 1.35mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Положение терминала | - | DUAL |
Моментальный ток | - | 100mA |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC143ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTA143ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTC123JUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |