Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMC5N-7 Альтернативные части: UMG2NTR
UMC5N-7Diodes Incorporated
В наличии: 5900
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
17.052500 ₽
17.03 ₽
10
16.087198 ₽
160.85 ₽
100
15.176593 ₽
1,517.72 ₽
500
14.317596 ₽
7,158.79 ₽
1000
13.507143 ₽
13,507.14 ₽
Цена за единицу: 17.052500 ₽
Итоговая цена: 17.03 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SOT-353 |
Количество контактов | 5 | 5 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3/e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | TIN/TIN COPPER |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 10 |
Основной номер части | MC5 | - |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Каналов количество | 2 | - |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V / 30 @ 10mA 5V | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | - |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | - |
База (R1) | 47k Ω, 4.7k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω, 10k Ω | - |
Высота | 1mm | - |
Длина | 2.2mm | - |
Ширина | 1.35mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Завершение | - | SMD/SMT |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Моментальный ток | - | 30mA |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Распад мощности | - | 150mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | 68 |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.3 V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMC4N-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA | Для сравнения |
 | UMA5NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
 | RN2702TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV | Для сравнения |
| UMG2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-353 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 | Для сравнения |