UMC5N-7 Альтернативные части: UMC4N-7

UMC5N-7Diodes Incorporated

В наличии: 5900

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
17.052500 ₽
17.03 ₽
10
16.087198 ₽
160.85 ₽
100
15.176593 ₽
1,517.72 ₽
500
14.317596 ₽
7,158.79 ₽
1000
13.507143 ₽
13,507.14 ₽

Цена за единицу: 17.052500 ₽

Итоговая цена: 17.03 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMC5N-7	иUMC4N-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA
Срок поставки от производителя	12 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Количество контактов	5	5
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2012
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MC5	MC4
Число контактов	5	5
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP
Каналов количество	2	2
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V / 30 @ 10mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
База (R1)	47k Ω, 4.7k Ω	47k Ω, 10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω, 10k Ω	47k Ω
Высота	1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMC4N-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA	Для сравнения
UMA5NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5	Для сравнения
RN2702TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV	Для сравнения
UMG2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-353	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5	Для сравнения