UMA5NTR Альтернативные части: RN2702TE85LF ,UMA4NTR

UMA5NTRROHM Semiconductor

  • UMA5NTRROHM Semiconductor
  • RN2702TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
  • UMA4NTRROHM Semiconductor

В наличии: 6000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.046703 ₽

    5.08 ₽

  • 10

    4.761044 ₽

    47.66 ₽

  • 100

    4.491552 ₽

    449.18 ₽

  • 500

    4.237308 ₽

    2,118.68 ₽

  • 1000

    3.997459 ₽

    3,997.53 ₽

Цена за единицу: 5.046703 ₽

Итоговая цена: 5.08 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Срок поставки от производителя
13 Weeks
12 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
SOT-353
Количество контактов
5
-
5
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
80
50
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2014
2012
Код JESD-609
e2
-
e2
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
5
-
5
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21
-
DIGITAL
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-
-50V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
-100mA
-
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
10
Основной номер части
MA5
-
-
Число контактов
5
-
5
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
150mW
-
150mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-50V
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
50 @ 10mA 5V
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 250μA, 5mA
-
Частота перехода
250MHz
-
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
200MHz
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-10V
-
База (R1)
2.2k Ω
10k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47k Ω
10k Ω
-
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
0.3 V
Высота
900μm
-
-
Длина
2.1mm
-
-
Ширина
1.35mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Мощность - Макс
-
200mW
-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
100