Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMA5NTR Альтернативные части: UMA4NTR
UMA5NTRROHM Semiconductor
В наличии: 6000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.046703 ₽
5.08 ₽
10
4.761044 ₽
47.66 ₽
100
4.491552 ₽
449.18 ₽
500
4.237308 ₽
2,118.68 ₽
1000
3.997459 ₽
3,997.53 ₽
Цена за единицу: 5.046703 ₽
Итоговая цена: 5.08 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SOT-353 |
Количество контактов | 5 | 5 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 100 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2012 |
Код JESD-609 | e2 | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21 | DIGITAL |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | MA5 | - |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | -50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | - |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | - |
База (R1) | 2.2k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2.1mm | - |
Ширина | 1.35mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | 100 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN2702TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV | Для сравнения |
 | UMA4NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
| RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO | Для сравнения |
| UMA9NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |